Новое поступление
Характеристики
*Текущая стоимость 5040 уже могла изменится. Что бы узнать актуальную цену и проверить наличие товара, нажмите "Добавить в корзину"
| Месяц | Минимальная цена | Макс. стоимость | Цена |
|---|---|---|---|
| Mar-18-2026 | 5998.42 руб. | 6298.98 руб. | 6148 руб. |
| Feb-18-2026 | 5947.93 руб. | 6244.55 руб. | 6095.5 руб. |
| Jan-18-2026 | 4990.86 руб. | 5240.13 руб. | 5115 руб. |
| Dec-18-2025 | 5846.82 руб. | 6138.31 руб. | 5992 руб. |
| Nov-18-2025 | 5090.58 руб. | 5345.42 руб. | 5217.5 руб. |
| Oct-18-2025 | 5746.16 руб. | 6033.0 руб. | 5889.5 руб. |
| Sep-18-2025 | 5695.83 руб. | 5980.99 руб. | 5837.5 руб. |
| Aug-18-2025 | 5645.54 руб. | 5927.67 руб. | 5786 руб. |
| Jul-18-2025 | 5594.11 руб. | 5874.32 руб. | 5734 руб. |
Описание товара



Двухсторонняя полировка одинарного кристалла кремния
Характеристики:
Один кристалл,Двухсторонняя полировка, 12 дюймов
Материал:
Высокая чистота кремния Si одиночный Кристалл подложки. N/P опционально.
Использование:
1. PVD/CVD покрытие подложки
2. Используется как XRD (рентгеновский Дифракционный анализ), SEM (сканирующий электронный микроскоп), AFM (атомный силовой микроскоп), FTIR инфракрасный, флуоресцентная спектроскопия и другие аналитические испытательные подложки
3. Экспериментальный носитель образцов синхротронного излучения
4. Подложка для молекулярного пучка эпитаксиального выращивания
5. Процесс литографии полупроводников и так далее








Смотрите так же другие товары: