Одинарная кристальная Кремниевая пластина/двухсторонняя полированная



Сохраните в закладки:

Цена:5040RUB
*Стоимость могла изменится

Количество:


Новое поступление

Характеристики

Одинарная кристальная Кремниевая пластина/двухсторонняя полированная

История изменения цены

*Текущая стоимость 5040 уже могла изменится. Что бы узнать актуальную цену и проверить наличие товара, нажмите "Добавить в корзину"

Месяц Минимальная цена Макс. стоимость Цена
Mar-18-2026 5998.42 руб. 6298.98 руб. 6148 руб.
Feb-18-2026 5947.93 руб. 6244.55 руб. 6095.5 руб.
Jan-18-2026 4990.86 руб. 5240.13 руб. 5115 руб.
Dec-18-2025 5846.82 руб. 6138.31 руб. 5992 руб.
Nov-18-2025 5090.58 руб. 5345.42 руб. 5217.5 руб.
Oct-18-2025 5746.16 руб. 6033.0 руб. 5889.5 руб.
Sep-18-2025 5695.83 руб. 5980.99 руб. 5837.5 руб.
Aug-18-2025 5645.54 руб. 5927.67 руб. 5786 руб.
Jul-18-2025 5594.11 руб. 5874.32 руб. 5734 руб.

Описание товара

Одинарная кристальная Кремниевая пластина/двухсторонняя полированнаяОдинарная кристальная Кремниевая пластина/двухсторонняя полированнаяОдинарная кристальная Кремниевая пластина/двухсторонняя полированная


Описание

Двухсторонняя полировка одинарного кристалла кремния

Характеристики:

Один кристалл,Двухсторонняя полировка, 12 дюймов

Материал:

Высокая чистота кремния Si одиночный Кристалл подложки. N/P опционально.

Использование:

1. PVD/CVD покрытие подложки

2. Используется как XRD (рентгеновский Дифракционный анализ), SEM (сканирующий электронный микроскоп), AFM (атомный силовой микроскоп), FTIR инфракрасный, флуоресцентная спектроскопия и другие аналитические испытательные подложки

3. Экспериментальный носитель образцов синхротронного излучения

4. Подложка для молекулярного пучка эпитаксиального выращивания

5. Процесс литографии полупроводников и так далее

12345678



Смотрите так же другие товары: