Однокристальная силиконовая Вафля/подложка 20*25 мм Si/односторонняя полированная



Сохраните в закладки:

Цена:18 616,92RUB
*Стоимость могла изменится

Количество:


Новое поступление

Характеристики

Однокристальная силиконовая Вафля/подложка 20*25 мм Si/односторонняя полированная

История изменения цены

*Текущая стоимость 18 616,92 уже могла изменится. Что бы узнать актуальную цену и проверить наличие товара, нажмите "Добавить в корзину"

Месяц Минимальная цена Макс. стоимость Цена
Jul-25-2026 22153.35 руб. 23261.38 руб. 22707 руб.
Jun-25-2026 21967.63 руб. 23065.35 руб. 22516 руб.
May-25-2026 18430.7 руб. 19352.75 руб. 18891 руб.
Apr-25-2026 21595.46 руб. 22675.84 руб. 22135 руб.
Mar-25-2026 18802.72 руб. 19742.31 руб. 19272 руб.
Feb-25-2026 21222.77 руб. 22283.55 руб. 21752.5 руб.
Jan-25-2026 21036.86 руб. 22088.47 руб. 21562 руб.
Dec-25-2025 20850.95 руб. 21893.38 руб. 21371.5 руб.
Nov-25-2025 20664.22 руб. 21697.88 руб. 21180.5 руб.

Описание товара

Однокристальная силиконовая Вафля/подложка 20*25 мм Si/односторонняя полированная


ОдиночныйБоковая полировка одинарного кристалла кремния

Технические характеристики:

Одинарный кристалл, 20*25 мм * 0,725.

Материал:

Высокая чистота кремния Si одиночный Кристалл подложки. P (100)resistanc 0,01 0,01

Область применения:

1.PVD/CVD покрытие подложки

2. Используется как XRD (рентгеновский Дифракционный анализ), SEM (сканирующий электронный микроскоп), AFM (атомный силовой микроскоп), FTIR инфракрасный, флуоресцентная спектроскопия и другие аналитические испытательные подложки

3. Экспериментальный носитель образцов синхротронного излучения

4. Подложка для молекулярного пучка эпитаксиального выращивания

5. Процесс литографии полупроводников и так далее

12345678


Смотрите так же другие товары: