Новое поступление
Характеристики
*Текущая стоимость 18 616,92 уже могла изменится. Что бы узнать актуальную цену и проверить наличие товара, нажмите "Добавить в корзину"
| Месяц | Минимальная цена | Макс. стоимость | Цена |
|---|---|---|---|
| Jul-25-2026 | 22153.35 руб. | 23261.38 руб. | 22707 руб. |
| Jun-25-2026 | 21967.63 руб. | 23065.35 руб. | 22516 руб. |
| May-25-2026 | 18430.7 руб. | 19352.75 руб. | 18891 руб. |
| Apr-25-2026 | 21595.46 руб. | 22675.84 руб. | 22135 руб. |
| Mar-25-2026 | 18802.72 руб. | 19742.31 руб. | 19272 руб. |
| Feb-25-2026 | 21222.77 руб. | 22283.55 руб. | 21752.5 руб. |
| Jan-25-2026 | 21036.86 руб. | 22088.47 руб. | 21562 руб. |
| Dec-25-2025 | 20850.95 руб. | 21893.38 руб. | 21371.5 руб. |
| Nov-25-2025 | 20664.22 руб. | 21697.88 руб. | 21180.5 руб. |
Описание товара

ОдиночныйБоковая полировка одинарного кристалла кремния
Технические характеристики:
Одинарный кристалл, 20*25 мм * 0,725.
Материал:
Высокая чистота кремния Si одиночный Кристалл подложки. P (100)resistanc 0,01 0,01
Область применения:
1.PVD/CVD покрытие подложки
2. Используется как XRD (рентгеновский Дифракционный анализ), SEM (сканирующий электронный микроскоп), AFM (атомный силовой микроскоп), FTIR инфракрасный, флуоресцентная спектроскопия и другие аналитические испытательные подложки
3. Экспериментальный носитель образцов синхротронного излучения
4. Подложка для молекулярного пучка эпитаксиального выращивания
5. Процесс литографии полупроводников и так далее







Смотрите так же другие товары: